Fizikos terminų žodynas : lietuvių, anglų, prancūzų, vokiečių ir rusų kalbomis. – Vilnius : Mokslo ir enciklopedijų leidybos institutas. Vilius Palenskis, Vytautas Valiukėnas, Valerijonas Žalkauskas, Pranas Juozas Žilinskas. 2007.
ОБОГАЩЁННЫЙ — СЛОЙ то же … Физическая энциклопедия
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
КОНТАКТ МЕТАЛЛ - ПОЛУПРОВОДНИК — (от лат. contactus прикосновение) переходная область между приведёнными в соприкосновение металлом и полупроводником, обеспечивающая прохождение электрич. тока между ними. При установлении К. м. п. вследствие различия в работе выхода электронов… … Большой энциклопедический политехнический словарь
Anreicherungsrandschicht — praturtintasis sluoksnis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. accumulation layer; enriched layer vok. Anreicherungsrandschicht, f; Anreicherungszone, f rus. обогащённый слой, m pranc. couche enrichie, f … Fizikos terminų žodynas
Anreicherungszone — praturtintasis sluoksnis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. accumulation layer; enriched layer vok. Anreicherungsrandschicht, f; Anreicherungszone, f rus. обогащённый слой, m pranc. couche enrichie, f … Fizikos terminų žodynas
accumulation layer — praturtintasis sluoksnis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. accumulation layer; enriched layer vok. Anreicherungsrandschicht, f; Anreicherungszone, f rus. обогащённый слой, m pranc. couche enrichie, f … Fizikos terminų žodynas
couche enrichie — praturtintasis sluoksnis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. accumulation layer; enriched layer vok. Anreicherungsrandschicht, f; Anreicherungszone, f rus. обогащённый слой, m pranc. couche enrichie, f … Fizikos terminų žodynas
enriched layer — praturtintasis sluoksnis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. accumulation layer; enriched layer vok. Anreicherungsrandschicht, f; Anreicherungszone, f rus. обогащённый слой, m pranc. couche enrichie, f … Fizikos terminų žodynas
praturtintasis sluoksnis — statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. accumulation layer; enriched layer vok. Anreicherungsrandschicht, f; Anreicherungszone, f rus. обогащённый слой, m pranc. couche enrichie, f … Fizikos terminų žodynas
Изобретение интегральной схемы — Основная статья: Интегральная схема Идею интеграции множества стандартных электронных компонентов в монолитном кристалле полупроводника впервые предложил в 1952 году британский радиотехник Джеффри Даммер[en]. Год спустя Харвик Джонсон подал… … Википедия
